ماسفت RFP12N08 12A 80V N-Ch

RFP12N08

1. نوع و سازنده

نوع: MOSFET قدرت کانال N

سازنده اصلی: Intersil / Harris Semiconductor

پکیج: TO-220AB

ولتاژ Drain-Source: 80V

جریان Drain: حدود 12A

RDS(on): حداکثر 0.2Ω

ولتاژ Gate-Source: حداکثر ±20V

این قطعه از MOSFETهای قدیمی برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت است. ()

2. مشخصات اصلی

VDS: 80V

ID: 12A

RDS(on): 0.2Ω در شرایط مشخص دیتاشیت

VGS: ±20V

توان تلفاتی: حدود 60W با هیت سینک و شرایط حرارتی مناسب

دمای پیوند: تا حدود +150°C

دارای دیود داخلی بین Drain و Source

مناسب برای سوئیچینگ با سرعت بالا و درایو مستقیم توسط مدارهای منطقی/درایور مناسب. ()

3. توضیح پایهها

پکیج TO-220AB:

پایه 1: Gate (G)

پایه 2: Drain (D)

پایه 3: Source (S)

تب فلزی: Drain

بنابراین ترتیب پایهها از روبهروی نوشته قطعه معمولاً G D S است. ()

4. کاربردها

منابع تغذیه سوئیچینگ

مبدلهای DC-DC

درایو موتور

درایو رله و سلونوئید

مدارهای سوئیچینگ قدرت

درایور ترانزیستورهای قدرت ()

5. علائم خرابی

اتصال کوتاه Drain به Source

اتصال کوتاه یا نشتی Gate به Source

روشن نشدن کامل MOSFET

بالا رفتن غیرعادی مقاومت Drain-Source در حالت روشن

افت ولتاژ زیاد روی MOSFET و داغ شدن شدید

افزایش جریان مصرفی مدار

سوختن مکرر فیوز یا قطعات سوئیچینگ اطراف

6. نکته مهم

RFP12N08 را با RFP12N08L اشتباه نکنید. مدل L نسخه Logic-Level است و مشخصات درایو Gate آن متفاوت است. همچنین RFP12N08 اصلی در منابع قدیمی Intersil/Harris با 80V / 12A / 0.2Ω معرفی شده است. ()

برای جایگزینی، فقط آمپر و ولتاژ کافی نیست؛ RDS(on)، ولتاژ لازم برای روشنشدن کامل Gate و مشخصات سوئیچینگ هم باید بررسی شود.